МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ,МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Кафедра
Напівпровідникової
електроніки
Курсова робота з курсу:
"Твердотільної електроніки"
Розрахунок бездрейфового біполярного транзистора
Завдання для курсової роботи.
Розрахувати і проектувати напівпровідниковий бездрейфовог біполярного транзистора.
Вихідні дані для розрахунку транзистора.
Табл.1.1
№
н/п
Uк, В
Ie, мА
w1, мкм
w2, мкм
w3, мкм
Rе, мм
Rк, мм
(е, Ом(см
Lе, мкм
(б, Ом(см
(б, мкс
(к, Ом(см
Lк, мкм
s, см(с-1
Rб, мм
1
Si
-10
1
50
80
130
0.5
0.7
4*10-3
6
2
25
3*10-2
6
1400
1.25
даній Uк- зворотня напруга на p-n- переході база-колектор, Iе- прямий струм p-n- переходу емітер- база, w1=wб- товщина активної бази, Le, Lк- дифузійні довжини для емітерної та колекторної областей, (е, (б, (к- питомий опір областей емітера, бази, колектора відповідно, (б- час життя неосновних носіїв в базі, s- швидкість поверхневої рекомбінації.
Зміст
Вступ
Завдання для курсової роботи…………………………………………..2
I Літературний огляд властивостей бездрейфового біполярного транзистора
1.1Структура і принцип дії біполярного транзистора………………..5
1.2 Семи вімкнення транзистора………………………………………...8
1.3 Конструктивні особливості бездрайфового біполярного транзистора…………………………………………………………………8
II. Розрахунок параметрів біполярного транзистора
Розрахунок коефіцієнтів підсилення за струмом в схемі ввімкнення транзистора зі спільною базою і спільним емітером………………9
Розрахунок опорів Т-подібної еквівалентної схеми транзистора….15
Розрахунок дифузійної і бар’єрної ємності переходів……………….17
Розрахунок частотного діапазону роботи транзистора……………..18
Розрахунок зворотних струмів р-п-переходів транзистора та аналіз впливу струму емітера на величину коефіцієнта підсилення………20
Розрахунок пробивних напруг транзистора…………………………..22
7Розрахунок малосигнальних параметрів транзистора як лінійного чотириполюсника…………………………………………………………23
Розрахунок граничної температури p-n-переходу та максимальної потужності розсіювання колектором транзистора……………………24
Розрахунок положення рівня Фермі в області емітера, бази і колектора та побудова енергетичної діаграми транзистора…………24
Розрахунок ВАХ колекторного переходу……………………………….25
Розрахунок залежності коефіцієнта α від напруги на колекторі…...27
Розрахунок бар’єрної ємкості колекторного переходу від напруги на колекторі та дифузійної ємності емітерного переходу від емітерного струму……………………………………………………………………….29
2.13Розрахунок залежності власного опору напівпровідника від температури…………………………………………………………………….30
2.14 Розрахунок залежності зворотного струму колектора від температури та струму, зумовленого процесами генерації в ОПЗ колекторного переходу………………………………………………………………………….31
Висновок……………………………………………………………………….35
Список використаної літератури…………………………………………..35
Вступ.
Курсову роботу з курсу «Твердотільна електроніка » виконав студент
3 курсу протягом 6 суместру.
Виконання курсової роботи має на меті закріпити і поглибити знання
з «Твердотільної електроніки» і розвинути вміння використовувати ці знання для розвязання конкрених завдань. Виконання курсової роботи
меє на меті перевірити на практиці отримані знання по розрахунку напівпровідникових біполярних приладів.
Тема курсової роботи містить такі напрямки роботи:
1)розрахункова робота, присвячена числовим розахункам параметрів і
характиристик біполярних напівпровідникових приладів, визначення і аналіз залежності параметрів приладів від зовнішніх умов, конструктивних особливостей і режимів роботи;
2)розрахуки присвячені розвопці і створенню лабораторних макетів
та установок для визначення праметрів і характиристик напівпровідникових приладів.
У звязку з широким застосуванням транзисторів сучасній техніці у мобілках, к...
